Секция «Детекторы для физики высоких энергий, ядерной физики и астрофизики» |
№ |
ФИО |
Место работы |
Название доклада |
ФВЭ-1 |
Е.Н.Окрушко |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Оптимизация однородности коэффициента светособирания в сцинтилляционных детекторах на основе полистирола большой площади для регистрации ШАЛ |
ФВЭ-2 |
Л.А.Андрющенко |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Стабильность и нестабильность оптических характеристик отражающих матированных граней кристаллов CsI |
| | | |
Секция «Детекторы и системы для медицинских применений» |
№ |
ФИО |
Место работы |
Название доклада |
МД-1 |
А.В.Диденко |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Блоки детектирования на основе системы сцинтиллятор – кремниевый ФЭУ |
МД-2 |
Н.И.Молчанова |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Гамма камера: инструмент диагностики в ядерной медицине, создание и разработка нормативной документации |
| | | |
Секция «Материалы для регистрации излучения» |
№ |
ФИО |
Место работы |
Название доклада |
М-1 |
Л.Ю.Столыпина |
ИФТП, Дубна |
Уточняется |
М-2 |
Н.В.Реброва |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Сцинтилляционные свойства монокристаллов CsCa1-xEuxBr3 (где x=0-0,08) |
М-3 |
О.А.Тарасенко |
ИСМА НАНУ «НТК институт монокристаллов», Харьков |
Энергетический выход радиолюминесценции органических твердотельных сцинтилляторов, возбуждаемых ионизирующими излучениями с различными удельными энергетическими потерями |
М-4 |
Т.Е.Горбачева |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Особенности структуры поликристаллов стильбена и их сцинтилляционные свойства |
М-5 |
А.М.Лебединский |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Люминесцентные пленки вольфрамата цинка, полученные гидротермальным методом и ионным распылением в вакууме |
М-6 |
И.В.Рандошкин |
ИОФ РАН им А.М. Прохорова, Москва |
Эпитаксиальные плёнки Gd3(Ga, Al) 5O12:Ce3+ возможный кандидат нового сцинтилляционного материала |
М-7 |
И.И.Камнев |
Унв-т «Дубна», Дубна |
Боросодержащие жидкие сцитилляторы |
М-б/н |
Т.Е.Горбачева |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Исследование сцинтилляционных характеристик сцинтилляторов на основе кристаллов активированного паратерфенгила |
М-11 |
С.А.Пономаренко |
ИСПМ РАН, Москва |
Сместители спектра широкого диапазона длин волн на основе кремнийорганических наноструктурированных люминофоров |
М-12 |
О.А.Шовкопляс |
СГУ, Суммы |
Влияние однородного электрического поля на скорость визуализации ионизирующего излучения |
Ю.М.Лопаткин |
П.А.Кондратенко |
Национальный авиационный университет, Киев |
М-13 |
Н.Р.Крутяк |
Физ-фак. МГУ, Москва |
Низкотемпературная люминесценция в сцинтилляционных кристаллах ZnWO4 и MgWO4 |
М-15 |
Н.Н.Тимошенко |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Управление фронтом кристаллизации при выращивании кристаллов CsI(Na) методом Киропулоса |
М-16 |
В.Д.Алексеев |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Механизм образования радиационных дефектов в сильно-облученном кристалле CsI(Tl) и их роль в сцинтилляционном процессе |
М-17 |
Н.В.Овчаренко |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Характеризация сцинтилляционных кристаллов CsI и LiF, активированных вольфрамкислородными комплексами. |
М-18 |
М.К.Мырзахмет |
ЕНУ, Астана |
Особенности кристаллов сульфата калия, как материалов для детекторов излучений |
М-19 |
Е.Ф.Воронкин |
ИСМА НАНУ, Харьков |
УФ-детекторы на основе селенида цинка |
М-20 |
И.А.Рыбалка |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Исследование химической активности поверхности сцинтилляторов ZnSe для регистрации ионизирующего излучения |
М-21 |
Б.Г.Базаров |
Байкальский институт природопользования СО РАН, Улан-Удэ |
Термолюминофоры на основе боратов щелочноземельных элементов |
Ж.Г.Базарова |
А.К.Субанаков |
М-22 |
А.М.Кудин |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Монокристаллические и керамические сцинтилляторы на основе LiF для регистрации тепловых нейтронов |
М-23 |
А.А.Шуренкова |
ОИЯИ, Дубна |
Пластмассовые сцинтилляторы для регистрации тепловых нейтронов |
| | | |
Секция «Детекторы для систем безопасности и экологического мониторинга» |
№ |
ФИО |
Место работы |
Название доклада |
ДБ-1 |
А.И.Иванов |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Бюджетный ВЦП для наблюдения за широкими атмосферными ливнями |
ДБ-2 |
Д.В.Гинзбург |
Rotem Industries LTD (Израиль) |
Поисковый монитор-сигнализатор для обнаружения источников гамма излучения на основе сцинтиллятора CsI(Tl) и кремниевого ФЭУ |
ДБ-3 |
А.В.Пономаренко |
ЗАО "Приборы", Москва |
Современные сцинтилляционные спектрометры Scionix и Ortec |
ДБ-4 |
Ю.А.Бороденко |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Разработка стационарного металло-детектора – радиационного монитора |
| | | |
Секция «Технологии и технические решения для инженерии детекторов радиации» |
№ |
ФИО |
Место работы |
Название доклада |
ТТ-1 |
А.А.Смирнов |
ИФТП, Дубна |
Современные системы детектирования |
ТТ-3 |
В.А.Литичевский |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Композитные сцинтилляционные панели и элементы на основе селенида цинка для регистрации рентгеновского и альфа излучений |
ТТ-4 |
И.В.Лазарев |
ИСМА, НТК «Институт монокристаллов» НАН Украины, Харьков |
Зависимость сцинтилляционных характеристик поликристаллов стильбена от условий их получения в процессе горячего прессования |
ТТ-5 |
В.И.Мухин |
Инд.предприниматель, Москва |
Дисперсные детекторы нейтронов |
ТТ-6 |
Н.В.Еремин |
ФГУП ЦНИИХМ, Москва |
Метод цифровой обработки формы импульсов в применении к исследованию перспективных сцинтилляторов |
ТТ-7 |
В.Л.Перевертайло |
Институт микроприборов НАН Украины, Киев |
Влияние сечения и длины кристалла CsJ(Tl) на спектрометрические характеристики рентгеновского детектора сцинтиллятор - p-i-n-фотодиод |
ТТ-9 |
Р.В.Лукашевич |
УП "АТОМТЕХ", Минск |
Исследование вероятности обнаружения точечных источников гамма-излучения с известными параметрами с использованием сцинтилляционного детектора |
ТТ-10 |
А.Г.Барченко |
УП "АТОМТЕХ", Минск |
Линейка сцинтилляционных интеллектуальных блоков детектирования на основе фосфич-детекторов |
ТТ-11 |
Т.Ю.Бокова |
ОИЯИ, Дубна |
Методы разработки фотошаблонов |
ТТ-12 |
А.Г.Поступаева |
ИНХ СО РАН им.А.В.Николаева, Новосибирск |
Оборудование для роста большеразмерных кристаллов GdWO4 и ZnWO4 и изготовление сцинтилляционных элементов для досмотровых систем |
ТТ-13 |
А.И.Лалаянц |
ИСМА НАНУ, Харьков |
Способ легирования сцинтилляционных кристаллов селенида цинка |
ТТ-14 |
В.Н.Шлегель |
ИНХ СО РАН им.А.В.Николаева, Новосибирск |
Система управления качеством в производстве сцинтилляционных элементов на основе кристаллов BGO |